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IXTH500N04T2
IXTT500N04T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
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Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
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dfafas
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IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_500N04T2(98)12-09-09
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IXTH50N30 功能描述:MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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